화학공학소재연구정보센터
학회 한국공업화학회
학술대회 2016년 봄 (05/02 ~ 05/04, 여수 엑스포 컨벤션)
권호 20권 1호
발표분야 전기화학_포스터
제목 NaBH4, SiO2 비율에 따른  Hollow Silicon/Carbon 음극소재의 전기화학적 특성
초록 리튬이차전지는 주로 소형 전자기기의 에너지 저장 장치로 사용되고 있지만 에너지 밀도와 파워 밀도가 높다는 장점이 있어 전기자동차와 같은 중대형 전지로의 중요성을 더해가고 있다. 실리콘 음극소재는 다른 음극소재에 비해 4200mAh/g의 매우 높은 이론용량을 가진다. 하지만 실리콘 원자 하나당 4.4개의 리튬 이온과 반응하여 400%에 달하는 부피팽창이 일어나는 단점이 있다. 부피팽창은 실리콘 입자와 전극을 분리시켜 전지의 사이클 특성이 급격히 감소하게 된다. 본 연구에서는 중공 구조의 실리콘을 합성한 후 카본을 코팅하였다. Stöber법을 통해 SiO2를 제조한 후, NaBH4와 SiO2의 비율에 따라 에칭하여 중공 구조를 갖는 SiO2를 제조하였다. 중공 구조의 SiO2를 마그네슘 열 환원법을 통해 실리콘으로 합성하고, 탄소 전구체로 페놀 레진을 첨가하여 Silicon/Carbon 복합체보다 사이클 안정성이 우수한 Hollow Silicon/ Carbon 음극재를 제조하였다. 합성된 음극활물질의 전기화학적 특성을 충방전, 사이클, CV, 임피던스 테스트 등의 실험을 통해 분석하였으며, XRD, SEM 등을 사용하여 음극활물질로서의 물리적 특성을 조사하였다.
저자 정민지, 이종대
소속 충북대
키워드 Hollow SiO2; NaBH4; Silicon; 음극 활물질; 리튬이차전지
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