| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (04/22 ~ 04/23, 여수대학교) |
| 권호 | 11권 1호, p.941 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Growth of GaN using Ga Precursor by Modified Hydride VPE Technique |
| 초록 | 본 연구에서는 Ga(mDTC)3(x) precursor를 이용한 Modified Hydride VPE법으로 GaN를 성장시켜서 그 특성을 조사해보았다. 기판으로는 (0001) Al2O3 을 사용하였으며, GaN 증착에 앞서 사파이어 기판을 TCE(trichloroethylene), 아세톤, 메탄올의 유기용제에 담궈 각각 5분동안 끓는점에서 세척한 후, cold-메탄올에서 초음파세척을 하여 기판표면에 존재하는 유기물 및 이물질을 제거하고, 청정도가 100 class이하로 유지되는 wet-station 내부에서 고순도의 N2로 불어주면서 spin-dring하였다. 세정된 사파이어 기판위에 Ga(mDTC)3(x) precursor용액을 spin coating 한후 MHVPE반응기에서 GaN를 성장시겼으며, SEM, PL, XRD등으로 결정성과 표면을 분석해보았다. 감사의 글: 본 연구는 과학기술부 목적기초연구(R05-2004-000-12678-0) 지원으로 수행되었음. |
| 저자 | 김진호, 여석기, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | GaN; HVPE; CVD |
| 원문파일 | 초록 보기 |
