| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Functional and Display Materials) |
| 제목 | LED용 TMGa precursor 사용 후 잔량에 대한 정제 및 재이용 기술개발 |
| 초록 | Trimethylgallium(TMGa, Ga(CH3)3)은 LED, LD 그리고 Electric power device 등을 제조하는데 필수 원료물질인 metal organic(MO) precursor이다. 현재 LED 및 electric power device산업이 점차 발전함에 따라 TMGa의 수요량이 급격히 증가하는 반면, 국내에는 제조기술이 전무하여 전량을 수입에 의존하고 있다. Metal Organic Chemical Vapor Deposition(MOCVD)법을 이용하여 GaN를 제조할 때 prescursor인 TMGa는 canister 용기에 장입되어 사용되는데 사용 후 약 10%의 잔량이 Canister 내부에 잔류하며, 현재 국내에서는 잔량을 처리할 수 있는 시스템이 구축되어 있지 않아 전량이 수입업체로 역수출되거나 폐기된다. 본연구에서는 사용 후 TMGa canister를 회수하여 정제한 후 다시 용기에 장입하여 재이용 할 수 있는 기술개발을 하고자 한다. 구축된 회수 및 정제 시스템을 통하여 정제된 TMGam에 대해서 순도 분석 및 NMR 분석등을 실시하였으며, 재이용이 가능한지 신뢰성 검토를 실시하였다. 정제 후 5N(99.999% 이상)의 고순도 TMGa를 얻을 수 있었으며, NMR 분석 결과에서도 TMGa의 정제 전, 후 비교하였을때 화학적 결합변화가 일어나지 않았음을 알 수 있었다. 현재 신뢰성 검토를 위하여 본 연구에서 정제된 TMGa를 이용하여 GaN 에피층을 성장시켜 그 특성을 평가하고자 한다. |
| 저자 | 윤재식1, 양재열1, 이지면2, 김재관2, 김돌3, 신선섭3 |
| 소속 | 1한국기초과학지원(연), 2순천대, 3덕산테코피아 |
| 키워드 | TMGa; MOCVD; GaN; canister; precursor |
