화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 2000년 봄 (04/21 ~ 04/22, 한양대학교)
권호 6권 1호, p.1981
발표분야 재료
제목 졸-겔법을 이용한 강유전체 Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3 박막 제조
초록 강유전체인 Pb(Zr, Ti)O3 박막은 강유전성 외에 초전성 및 압전성의 성질을 포함하는 특성으로 인해 고유전상수를 이용한 DRAM와 P-E 이력특성을 이용한NVFRAM, FEMFET 등의 기억소자에 적용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있으며, DRAM 소자의 고집적화가 진행됨에 따라 관심대상이 되고 있다. 현재 가장 중점적으로 박막제조에 이용되는 방법으로는 스퍼터링법, CVD법, 졸-겔법 등이 있다. 이중 졸-겔법은 다른 방법과는 달리 간단히 조성을 조절할 수 있고, 박막의 균일성을 좋게 하고, 낮은 온도에서의 합성과 저렴한 가격, 그 밖의 많은 분야에서의 쉬운 제조 공정의 장점을 가지고 있다. 본 연구에서는 졸-겔법에 의한 여러 조건에서 강유 전체 Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3 박막을 제조하고 이들의 물성 및 특성을 조사하였다.
저자 조성현, 조윤석, 서경원, 이승호
소속 아주대
키워드 Ferroelectric; Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3; Thin films; Sol-Gel processing
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