| 초록 |
본 연구를 진행하기 위해 새로운 형태의 씨오펜 기반의 유기 저분자 반도체인 DtT, D3TN, 그리고 DP2TN를 스즈키 커플링 반응을 이용하여 합성하였다. 유기 반도체에 적용한 긴 사슬형 알킬 체인은 반도체의 용해도를 향상시킬 뿐만 아니라 분자간의 자기조립에도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대하였다. 자외선-가시광선 흡광 스펙트럼을 통해 새롭게 합성된 세가지 유기 저분자 반도체는 모두 H 타입의 어그리게이션을 보인다는 것을 확인할 수 있었다. 기존에 알려진 사실로는 H 어그리게이션을 보이는 분자의 경우는 이웃한 분자들이 서로를 맞댄 상태로 결정을 이루게 되는데 X선 산란 실험을 통해 세가지 합성된 유기 저분자의 결정들이 기판에 대해 수직한 방향으로 배양되면서 형성 되었다는 사실도 밝혀냈다. 유기 반도체를 이용해 트랜지스터를 제작하였을 때 소자의 이동도는 각각 DtT에서 3.3 × 10–3cm2/Vs, D3TN에서 1.6 × 10–2cm2/Vs,DP2TN에서 3.7 × 10–2cm2/Vs으로 관찰되었다. 본 연구를 통해 이러한 트랜지스터의 성능 차이는 분자간 파이전자 겹침정도와 박막의 형상 차이에 기인한다고 확인해 볼 수 있다. |
