| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (11/03 ~ 11/03, 수원대학교) |
| 권호 | 12권 2호 |
| 발표분야 | 반도체 재료 |
| 제목 | Co-sputtering 법으로 합성한 ZnMgO 나노선의 특성(Characterization of ZnMgO nanowires fabricated using co-sputtering method) |
| 초록 | 반도체 나노선은 초고집적 전자소자 및 나노 광소자 개발에 응용될 수 있기 때문에 최근 많은 연구가 이뤄지고 있다. 산화물 반도체의 대표적 물질인 ZnO는 3.37eV의 넓은 bandgap 에너지와 60meV의 큰 exciton 결합 에너지를 갖고 있기 때문에 발광 다이오드, 레이저 다이오드, 바이오 센서 등 다양한 소자로 응용되고 있다. 특히 ZnO는 Mg, Cd과 화합물을 형성하여 bandgap engineering을 할 수 있기 때문에 다양한 광소자 응용이 가능하다. 본 실험에서는 MOCVD를 이용하여 c-Al2O3 기판 위에 seed로 작용할 ZnO 나노선을 합성하고 그 위에 ZnO와 Mg을 co-sputtering 법을 이용하여 ZnMgO 나노선을 합성하였다. Mg의 sputtering power를 제어하여 ZnMgO 나노선 내의 Mg함유량을 조절하였고 electron dispersive spectroscopy를 통해서 Zn와 Mg의 성분비를 분석하였다. Scanning electron microscopy를 이용하여 합성된 나노선의 형상을 관찰하였고 X-ray diffraction 과 high resolution transmission electron microscopy를 통해서 나노선의 결정학적 특성과 미세 결정구조를 확인하였다. 또한 photoluminescence로 측정한 ZnMgO 나노선의 광학적 특성을 통해서 Mg함유량 조절에 의한 bandgap engineering 가능성을 확인하였다. |
| 저자 | 서지민, 정민창, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | Co-sputtering; ZnMgO 나노선; photoluminescence; X-ray diffraction; high resolution transmission electron microscopy |
