| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 가을 (11/25 ~ 11/27, 부산 해운대그랜드호텔) |
| 권호 | 21권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 |
| 제목 | 광화학적인 수소 도핑에 의한 ZnO-TFT 특성 평가 |
| 초록 | 산화물 박막 트랜지스터(TFT, Thin Film Transistor)의 대표적인 특징은 가시광 영역에서 높은 투과도를 보이며, 기존 LCD에 쓰이는 비정질 실리콘 기반의 TFT에 비해서 높은 이동도를 나타낸다는 점이다. 산화물 TFT 중 가장 많은 연구가 된 것이 ZnO-TFT로, ZnO는 넓은 밴드갭(3.37eV)을 가진 Ⅱ-Ⅳ족 화합물 반도체로서 상온에서도 다결정 박막으로 성장이 가능하다는 장점뿐만 아니라 고성능의 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용할 수 있는 이상적인 물질이라 할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 최적화된 증착 조건과 기본 전기적 특성 데이터를 바탕으로 하부 게이트 구조의 ZnO 박막 트랜지스터를 제작하였다. 그리고 광화학적인 수소 도핑 처리 시간에 따른 ZnO-TFT의 전기적, 광학적 특성을 비교 및 분석하여 전자 이동도, on/off raito 등의 TFT 특성이 향상되는 최적의 시간을 확보하였다. 이를 규명하기 위해 XRD(X-ray Diffraction), SEM(scanning electron microscopy), AFM(atomic force microscopy), IV spectroscopy 등의 측정장비를 이용하였다. |
| 저자 | 서형탁, 김진서, 박아영 |
| 소속 | 아주대 |
| 키워드 | Zinc Oxide; TFT; UV treatment |
