| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2003년 가을 (10/10 ~ 10/11, 부경대학교) |
| 권호 | 28권 2호, p.264 |
| 발표분야 | 분자전자 부문위원회 |
| 제목 | ATRP를 이용한 Poly(4-hydroxystyrene)과 공중합물의 중합과 Deep-UV용 Positive Resist로의 응용에 대한 연구 |
| 초록 | 현재 KrF lithographic technology에서는 aqueous base에 의해 현상되는 phenolic resist, 그 중에서도 high-resolution image를 구현하기 위한 photoresist의 조건을 잘 만족시키는 poly(4-hydroxystyrene)(PHS)의 유도체가 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 현재 사용하는 lithographic process에 적용할 수 있는 분자량이 control된 PHS를 합성하기 위해 4-acetoxystyrene을 기존의 ATRP법을 개선하여 중합하였고 가수분해하여 좁은 분자량 분포의 PHS를 얻었다. 이의 분자구조 중에서 hydroxyl group을 치환하여 positive형 resist를 합성하였다. 또한 dry etching 내성 향상을 위해 adamantyl group을 도입하여 공중합물을 합성하였다. 두 resist의 구조, 분자량, UV특성은 NMR, GPC, UV-spectrometer를 이용하여 분석하였고 DSC, TGA로 열적 특성을 확인하였으며 SEM을 이용하여 lithographic property 및 pattern profile의 특성을 고찰하였다. |
| 저자 | 윤종원, 김준영, 김태호 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | ATRP; KrF photoresist; 4-acetoxystyrene |
