| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 |
23권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
Double Channel 구조를 이용하여 전자 이동도와 신뢰성을 향상시킨 Oxide Thin Film Transistor 소자 제작 및 분석 |
| 초록 |
이번 연구에서 실리콘 기반의 TFT(Thin Film Trnasistor)를 대체할 수 있는 double channel 구조의 amorphous oxide TFT 소자를 제작하고 특성을 분석했다. 기존에 amorphous ITZO만 사용하던 것과 달리 amorphous ITZO에 ITO:Zr을 이중채널로 사용했다. ITO:Zr의 두께를 3nm, 5nm, 10nm로 가변하며 최적의 두께를 찾았으며 약 75.5 cm2/V.s(기존 전자 이동도 33.4 cm2/V.s)의 전자 이동도와 subthreshold slope = 0.39 V/dec, ON/OFF current ratio(ION/IOFF = ~108), interface trap density (Nit = 7.88×1011 cm‾2)를 확인했다. 이를 통해 단채널보다 다중채널을 사용한 oxide TFT의 활용도가 더 높을 것으로 판단된다. |
| 저자 |
안수정, NGUTEN THI CAM PHU, 장경수, 김정수, 박희준, 이준신
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| 소속 |
성균관대 |
| 키워드 |
<P>TFT; double channel; oxide; ITZO; ITO:Zr; 다중채널</P>
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