| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 가을 (11/06 ~ 11/08, 제주롯데호텔) |
| 권호 | 19권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 이중주파수를 사용하는 펄스 플라즈마의 특성 분석 |
| 초록 | 패턴 사이즈가 미세화되고, 고집적화에 따른 여러 damage issue 가 대두되고 있기 때문에, 플라즈마 제어 기술은 다양한 건식공정을 위한 차세대 플라즈마 장비 개발에 있어서 가장 중요한 요소이다. 특히, 플라즈마 공정 중 damage issue를 발생 시키는 electron temperature 를 제어 하는 기술은 가장 중요한 문제 중에 하나 이다. 일반적으로 high electron temperature 는 높은 전자 에너지에 의해 공정중 소자를 손상 시키는 주된 원인이라고 보고되고 있으며, 이에 대한 제어기술은 매우 중요하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 서로 다른 두 개의 내/외측으로 나뉘어진 나선형 모양의 ICP 안테나를 이용 하였다. 내측의 안테나에는 2MHz 를 연결 하였으며, 외측의 안테나에는 13.56MHz를 연결 하였다. 내/외측 안테나에 각각 pulse mode로 입력전력을 인가해 줌으로써 플라즈마의 특성을 관찰하였으며, emissive probe 를 이용하여 plasma potential 과 floating potential 을 측정하였으며, 이를 통하여 electron temperature 를 계산하여 구할 수 있었다. Duty ratio 및 pulsing frequency 의 변화에 따른 electron temperature의 변화를 확인 할 수 있었으며, 그에 따른 플라즈마 균일도를 ion saturation current를 측정함으로써 관찰할 수 있었다. |
| 저자 | 서진석1, 김경남1, 김태형1, 염근영2 |
| 소속 | 1성균관대, 2성균관 대 |
| 키워드 | 이중 주파수; ICP; 펄스; 전자온도 |
