| 초록 |
고성능 유기박막트랜지스터(organic field-effect transistors, OFET)의 제작과 상용화를 위해서는 소자성능을 결정하는 threshold voltage(Vth), mobility, on-off current ratio, hysteresis등에 대한 이해가 필요하다. 이러한 소자성능에 결정적인 영향을 미치는 다양한 요인 중에서 전하이동과 전하 trapping 현상은 Vth와 hysteresis를 예측하는데 중요한 인자로 인식되고 있다. 본 연구에서는 최근 활발히 연구되고 있는 고분자 절연체의 free volume이 charge trapping에 미치는 영향을 확인하였다. 이를 위해 대표적인 polymer 물질인 polystyrene(PS)의 linear와 branch 구조를 사용하여 free volume을 제어하였다. 실험결과 내부의 free volume의 비율이 높은 b-PS의 경우 트랜지스터 소자에서 bias-stress로 인한 drain current(ID) decay와 Vth shift가 증가하는 것을 확인하였다. 이 연구결과는 고분자 절연체가 가지는 intrinsic 특성인 free volume에 대한 영향을 분석함으로써 향후 우수한 특성을 지니는 절연체용 고분자를 확보하는데 도움이 될 것으로 예상된다. |
