| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (11/05 ~ 11/05, 인하대학교) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 반도체I(실리콘) |
| 제목 | 금속 유도결정화 기법을 이용한 nc-Si:H 박막의 구조 및 광학적 특성 |
| 초록 | 나노결정 및 비정질 Si (nc-Si:H, a-Si:H) 박막에서 발광(PL, photoluminescence) 현상이 발견된 이후, 이들 재료는 광전자(optoelectronic) 산업에서 폭넓은 응용 가능성 때문에 큰 관심을 받고 있다. 이들 Si 박막의 발광 특성은 박막의 나노구조에 기인하는 양자 제한 효과(quantum confinement effect) 및 계면 효과에 의한 것으로 알려져 있다. 본 연구실에서는 PECVD 기법을 이용하여 a-Si:H박막을 제조하였으며, 니켈(Ni)을 이용한 금속유도결정화(MIC) 기술을 nc-Si:H박막 성장에 적용 시켰다. 또한, Ni확산 변수의 변화에 따른 박막의 나노구조와 화학적 특성을 고찰하였다. 이들 박막의 결정 크기, 결정화도, 나노구조를 XRD, Raman spectroscopy, TEM등을 사용하여 조사하였으며, 박막의 화학 조성은 XPS, AES, RBS등을 사용하여 조사되었다. Ni확산은 실리콘 나노결정의 결정화도 온도를 350℃ 이하로 낮추었으며, 박막 내 나노결정의 크기와 결정화도를 향상 시켰다. 이러한 결과는 확산된 Ni의 양이 증가함에 따라 비정질 Si의 활성화 에너지를 낮추게 됨으로써 비정질 Si영역의 결정화를 유도한 결과로 여겨진다. |
| 저자 | 심재현, 조남희 |
| 소속 | 인하대 |
| 키워드 | nc-Si; Metal-induced Crystallization |
