| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2011년 가을 (10/27 ~ 10/29, 신라대학교) |
| 권호 | 17권 2호 |
| 발표분야 | B. Nanomaterials and Processing Technology(나노소재기술) |
| 제목 | NiO 박막 위 수직 성장된 ZnO 나노와이어 구조의 p-n 접합 다이오드(Characteristics of p-n Diode from ZnO Nanowire/NiO flim) |
| 초록 | 넓은 밴드갭 (3.37eV)과 높은 안정성을 가지는 ZnO 물질은 청색 및 백색 light emitting diode(LED)의 n-type 재료로써 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 나노와이어 구조를 이용하여 만든 LED 소자의 경우 양자효과와 1차원적 캐리어 수송경로 효과로 인하여 그 특성을 보다 향상 시킬 수 있다. 마찬가지로 LED의 p-type 재료로 사용될 수 있는 NiO의 경우 비교적 높은 제작 비용이 드는 GaN의 대체 물질로 고려되고 있으며, 상온에서 넓은 밴드갭 (3.5eV)을 가지는 특징이 있다. 본 연구에서는 p-type NiO 물질과 n-type ZnO 물질을 각각 radio frequency(RF) sputter와 수열 합성법으로 성장시켜 p-n 접합 다이오드를 제작하였다. NiO 박막의 경우 N2, O2, Ar 등의 분위기에서 후 열처리 하여 전기적 특성을 분석 하였고, 그 위에 ZnO 나노와이어를 수직 성장시켜 p-n 접합 다이오드의 ideality factor, turn-on voltage, rectification ratio 등을 평가 하였다. |
| 저자 | 황성환, 문경주, 이태일, 명재민 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | NiO flim; ZnO nanowire; p-n junction diode; post-annealing |
