| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2007년 가을 (10/11 ~ 10/12, 일산킨텍스) |
| 권호 |
32권 2호 |
| 발표분야 |
분자전자 소재 및 소자 기술(분자전자 부문위원회) |
| 제목 |
Fabrication of Transistors and Inverters Using Photo-crosslinkable Polymer Gate Dielectric |
| 초록 |
최근 우수한 성능의 유기박막트랜지스터(OTFT)에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. OTFT에 주로 이용되며 안정적인 성능을 보여주는 절연 층은 Poly(4-vinylphenol)(PVP), Polyimide(PI) 등이 있으나, 높은 온도(200℃이상)에서 경화가 필요하다는 단점이 있다. 높은 온도 조건은 공정을 복잡하게 할 뿐만 아니라, polymer substrate의 선택에도 제한을 줄 수 있다는 점에서 이들 고분자 절연 층을 대체할 물질에 대한 연구가 시급하다. 따라서 본 연구에서는, 광경화(Photo-crosslinkable) 고분자 물질을 사용하여 안정적이고 높은 성능을 가지는 OTFT를 제작 하였다. 뿐만 아니라 만들어진 OTFT로 가장 간단한 논리 회로인 inverter를 직접 제작해 봄으로써 실제 회로에서의 응용 가능성을 확인해 보았다. |
| 저자 |
장재영, 김세현, 정대성, 박찬언
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| 소속 |
포항공대 |
| 키워드 |
OTFT; Photo-crosslinkabe; Dielectric; Inverter
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| E-Mail |
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