| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2008년 봄 (05/22 ~ 05/23, 상록리조트) |
| 권호 |
14권 1호 |
| 발표분야 |
반도체재료 |
| 제목 |
Scanning Probe Microscope와 Nano indentation을 이용한 W-C-N 확산방지막의 특성 연구 |
| 초록 |
계속된 반도체 산업의 발전으로 현재 반도체 공정은 더욱 다층화 미세화 되어가고 있다. 이러한 반도체 공정의 발달로 인하여 금속 배선공정에서는 기존 Al을 대체하기 위한 노력을 하고 있다. 이러한 노력의 대안으로 Cu가 현재로써는 그 대안으로 인식되고 있다. 이러한 Cu를 금속배선공정에 쓰기 위해서는 Cu의 확산을 방지하는 확산방지막의 개발이 가장 중요한 문제점으로 대두되고 있는 실정이다. 따라서 Cu의 확산을 방지하기위한 여러 연구가 진행중에 있으며, 본 연구에서는 텅스턴(W)을 질화(N)한 W-N을 주 구성 물질로 여기에 탄소(C)를 첨가하여 W-C-N 혹산방지막을 제작하였다. 이렇게 제작된 W-C-N 확산방지막을 상온에서부터 고온(900℃)까지 열처리한 후 Scanning Probe Microscope (SPM)을 이용하여 박막의 표면을 연구하였고, Nano indentation을 이용하여 열처리 전후의 표면 강도를 측정하여 열처리를 하는 동안 C과 N의 확산에 따른 W-C-N 확산방지막의 표면물성의 변화에 대하여 연구하였다. 이런 연구 결과를 통하여 W-C-N 확산방지막은 고온에서 안정된 상태를 유지함을 확인하였다. |
| 저자 |
김수인, 이창우
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| 소속 |
국민대 |
| 키워드 |
W-C-N 확산방지막; Scanning Probe Microscope (SPM); Nano indentation
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| E-Mail |
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