| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2011년 가을 (10/06 ~ 10/07, 김대중 컨벤션센터) |
| 권호 | 36권 2호 |
| 발표분야 | 유기전자소자용 소재 및 소자(분자전자소재 부문위원회) |
| 제목 | Pentacene과 DNTT 유기반도체를 적층한 Spin-on-glass/TiO2전구체의 혼합게이트절연물질의 특성연구 |
| 초록 | OTFT용 게이트절연체는 낮은 누설전류와 높은 유전상수, 열적 화학적 안정성을 필요로 한다. 본 연구에서는 spin-on-glass(SOG)와 Ti 전구체를 섞어 SOG/Ti 전구체 혼합게이트 절연물질을 준비하였다. 표면 평탄효과와 낮은 누설전류의 장점을 지닌 SOG에 Ti 전구체를 이용하여 상대적으로 낮은 유전상수를 개선하고자 하였다. SOG/Ti 전구체 혼합 게이트 절연물질은 spin coating과 dip coating 방식으로 형성하였고, 유기반도체로는 pentacene과 보다 안정적인 DNTT를 적층하여 OTFT 특성을 조사하였다. SOG/Ti 전구체 혼합 게이트 절연물질의 OTFT특성은 pentacene의 경우 VDS=-6V에서 1.34cm2/Vs의 이동도, -4.9V의 문턱전압, 0.23V/dec의 sub-threshold, 1.0x107의 on/off current ratio를 보였으며, DNTT를 적층한 경우 월등한 안정성을 보였다. |
| 저자 | 김연옥, 김진아, 안광현, 유재웅, 김홍두 |
| 소속 | 경희대 |
| 키워드 | OTFT; gate insulator; pentacene; DNTT |
