| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 |
23권 1호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 |
Fabrication of two-dimensional MoS2 Films-based field effect transistor for high mobility electronic device application |
| 초록 |
2차원 구조의 MoS2는 높은 이동도와 뛰어난 광반응 특성을 가지고 있어 차세대 전자소자용으로 활용하기 위해 많은 연구가 진행되고 있다. MoS2는 그래핀과 유사하게 기판과 MoS2 또는 MoS2 와 MoS2 같이 이종 물질의 또는 동종물질의 층과 층 경계에서는 반데르발스결합을 통해 비교적 약한 힘으로 결합을 하고 있다. 이 때문에 MoS2는 단원자층과 단원자층사이, MoS2 단원자층과 기판사이에서는 물리적 혹은 화학적 박리가 쉽게 일어날 수 있다. Photolithography 공정과정에서 물을 사용할 경우 기판과 MoS2 사이로 물이 침투하여 소자 공정 수율을 급격히 떨어뜨리는 문제점이 발생하게 된다. 이를 해결하기 위해 우리는 물 기반의 Photolithography 공정이 아닌 에폭시 기반의 물질을 photoresist로 사용하였다. 본 연구에서는 hydrophilic한 기판위에 화학기상증착장비(CVD)로 증착된 hydrophobic한 MoS2를 field effect transistor (FET) 공정시 물 기반의 Photolithography 공정에서 MoS2가 기판으로부터 떨어지는 문제를 해결하기위해 PMMA 희생층과 SU-8 2002를 사용하여 MoS2 기반의 FET를 제작하고, 그 전기적 특성을 측정하였다. |
| 저자 |
정대화1, 박혜지1, 문지훈1, 박종후2, 김태완1, 강상우1
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| 소속 |
1한국표준과학(연), 2경북대 |
| 키워드 |
MoS<SUB>2</SUB>; FET; Photolithography
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