| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2018년 봄 (05/16 ~ 05/18, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 | 24권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | Superimposed multi-frequency plasma source 의 plasma diagnostic 및 etch 특성 분석 |
| 초록 | 현재 반도체 시장에서 나노미터 급 반도체 device 의 생산성 향상과 비용 절감을 위하여 반도체 식각 장비의 사양은 중요해져 왔다. 특히 대면적화 장비에서 기판의 중심부부터 가장자리까지 높은 plasma uniformity 및 etch uniformity 를 확보 하는 것은 차세대 식각 장비가 갖춰야할 중요한 부분 중 하나이다. 뿐만 아니라 inductively coupled plasma (ICP) source 의 경우 source power 의 증가에 따라 non-uniform 한 power deposition 과 그에 따른 plasma uniformity 가 나빠지는 것이 확인되고 있다. 따라서 Plasma uniformity 를 향상시키기 위한 방안으로 electrode 의 구조를 변화시키거나 챔버 내부의 구조를 변형시키는 등의 이론, 실험적인 연구가 진행되어 왔으나 대면적 기판에서의 plasma 변수를 control 하여 uniformity 를 향상시키는 것은 여전히 주요한 과제 중 하나이다. 본 연구에서는 plasma uniformity 및 etch uniformity 를 control 하는 방법 중 하나로 ICP 장비에서 superimposed multi-frequency plasma source 를 통한 plasma uniformity 확보 방안에 관한 연구를 진행하였다. ICP source 에는 2 MHz 와 13.56 MHz 의 superimposed dual frequency power 를 사용하였고, 기판부에는 13.56 MHz 의 single frequency 를 사용하였다. Multi-frequency 의 power ratio 에 따른 etch uniformity 를 비롯한 plasma 특성을 진단, 분석하기 위해 ni, ne, IED 등을 측정하였고 SiO2 식각 특성을 확인하였다. |
| 저자 | 양경채, 김수강, 신예지, 성다인, 염근영 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | <P>Superimposed multi frequency plasma source; Plasma uniformity; Etch uniformity; Inductively coupled plasma</P> |
