학회 | 한국화학공학회 |
학술대회 | 1997년 봄 (04/25 ~ 04/26, 동국대학교) |
권호 | 3권 1호, p.1253 |
발표분야 | 재료 |
제목 | SiC/C비 조절에 의한 증착층 변화 |
초록 | CVD법에 의해 제조된 SiC는 고온에서 우수한 파괴인성과 파괴강도를 가지고 있을 뿐만아니라 substrate로 사용되어지는 graphite와 SiC간의 열팽창계수가 유사하여 C/C composite와 같은 탄소재료에 내산화 코팅재료로써 사용될 수 있다. 하지만 큰 온도차이로 가열 및 냉각이 계속된다면 재료에 crack이 생기는 단점이 있는데 이는 thermal fatigue, thermal shock resistance가 열팽창 및 열수축에 의해 발생하는 열응력을 견디지 못하기 때문이다. 이러한 현상을 보완하기 위해 FGM(Functionally GRaded Material)이라는 개념을 도입하여 각 재료간의 thermalexpansion factor를 최대한 줄이고 thermal resistance와 thermal stress에 의한 crack을 거의 없애는 역할을 한다. |
저자 | 정순득, 이성철, 김유택 |
소속 | 한양대 |
키워드 | CVD; FGM |
원문파일 | 초록 보기 |