| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | 투명전극 및 응용기술 |
| 제목 | DC마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 GxZO박막의 전기적 특성에 대한 공정변수의 영향 |
| 초록 | ITO로 대표되는 투명전도체 산화물은 전기전도도와 가시광 영역에서의 투과성이 높아 전기적, 광학적 재료로 널리 사용되고 있다. 최근 디스플레이 산업의 발달과 함께 ITO원료의 수급불균형과 ITO주원료인 인듐 산화물 가격폭등이 큰문제가 되고 있으며, 이에 따라 인듐이 포함되지 않거나 인듐의 함량을 감소시킨 투명전도체에 대한 관심이 점점 높아지고 있다. 이에 본 연구에서는 액정디스플레이(LCD) 산업에 적용을 위하여 여러 가지 조성변화를 통한 재료적인 연구를 진행하였고, 그 가운데 가장 우수한 투명성과 전기전도성, 그리고 인듐이 함유되지 않은 조성을 갖는 산화 아연계 투명전도막(GxZO)을 DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 증착하였으며 공정변수에 따른 성장거동 및 전기적 특성변화를 관찰하였다. 230°C의 증착온도, 초기진공도~10-4 Pa, 순수한 Ar분위기에서 증착한 1500Å 두께의 GxZO박막에서 6.56X10-4의 최소 비저항값을 얻을 수 있었다. GxZO의 전기적 특성에 가장 큰 영향을 주는 인자는 증착온도이며, 증착온도가 증가할수록 박막 내 c축 결정성장 배향성이 극대화됨과 동시에 입자크기의 증가되며 이에 따라 이동도 및 전기전도 특성이 향상됨이 관찰되었다. |
| 저자 | 박문기 |
| 소속 | LG 디스플레이 |
| 키워드 | 투명전도체 산화물; GxZo; DC마그네트론 스퍼터 |
