| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | A. Information and Sensor Materials(정보소재 및 센서) |
| 제목 | ITO 박막의 열처리 조건에 따른 전기∙광학적 특성 |
| 초록 | 이 연구에서는 전자빔 증착방법을 이용하여 p-Si(100)기판과 SiO2 기판 위에 각각 ITO박막을 형성하고, 열처리에 따른 박막의 전기∙광학적 특성을 조사하였다. ITO 박막은 작업진공도 3.0*10-5 Torr에서 1Å/sec의 속도로 증착하였다. 증발원은 In2O3와 SnO2가 9:1의 질량비로 혼합된 2-3 mm 크기의 덩어리를 사용하였다. 열처리는 수평형 전기로에서 산소가스를 0.3 L/min으로 공급하면서 열처리 온도와 시간을 각각 100~550 ℃와 10~60 분 범위에서 변화시키며 실시하였다. 박막의 전기적 특성은 4-point probe를 이용하여 측정하였고, Ellipsometer와 UV/VIS 분광광도계를 이용하여 광학적 성질을 분석하였다. 또한 XRD와 XPS를 이용하여 박막의 구조 및 조성을 분석하였다. ITO 박막에 대한 XRD 패턴으로부터 (222)면으로 성장했음을 알 수 있었으며, 350 ℃의 온도에서 열처리 후 박막의 O의 량이 33.4 at%에서 40.8 at%로 증가하고, 가시광 영역에서의 광투과도와 전기적 특성이 향상되었다. |
| 저자 | 신승욱1, 김준2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | ITO; Indium Tin Oxide; e-beam evaporation |
