화학공학소재연구정보센터
학회 한국화학공학회
학술대회 2008년 가을 (10/23 ~ 10/24, 부산 BEXCO)
권호 14권 2호, p.3292
발표분야 재료
제목 Cu CMP slurry 개발을 위한 첨가제 영향성 연구
초록 최근 반도체 공정이 미세 집적화 됨에 따라낮은 비 저항 특성과 electromigration 현상이 일어 나지 않는 장점을 가진구리가 새로운 배선물질로 각광 받고 있다. 구리 배선 공정의 개발에 있어 화학적 기계적 연마 공정은 필수적으로 도입되는 공정으로서,디싱(dishing)과 침하에 의한 구리 손실의 최소화 및 및연마 공정 완료 후표면의 부식을 억제 할 수 있는슬러리(slurry)의 개발이 가장 중요하게 대두 되고 있다.현재의구리 화학적 기계적 공정 슬러리는 높은 연마율 특성의 확보를 위해산성pH영역에서의 개발에 그초점을 맞추고있는 실정인데,산성 영역에서는 구리의 부식이 활발하게발생함에 따라서 피트(pit)와 같은결점을 형성하는 단점이 있어 그 개선이 요구되고 있다. 본 연구에서는 중성 영역에서의 구리의 화학적 기계적 연마 슬러리 개발에 그 초점을 맞추어, 연마율 향상 및 표면 부식 억제를 위한 최적 착물 형성제 및 부식 방지제 선정 평가를 수행하였으며, ceria 입자의 연마제로서의 적용 가능성에 대한 평가를 함께 수행하였다.
저자 김영준, 김재정
소속 서울대
키워드 Cu CMP; pH; ceria particle; complexing agent; inhibitor
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