| 초록 |
최근의 연구에서 양자점 태양 전지 (QDSCs)는 높은 흡수 계수, 입자 크기에 의한 튜닝 가능한 밴드 갭, 제조의 용이성 및 저비용과 같은 우수한 특성을 나타내는 무기 반도체 양자점에 중점을 두었다. 일부 양자점은 PbS (Se), II-VI (CdS, CdSe), 3 원계 반도체 (CuInS(Se)2), 4원계 반도체 QD (Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnSe4) 등의 태양 전지에 적용되었다. 특히, QDSC에 기초한 Pb 또는 Cd는 10 % 이상의 효율을 달성했다. 그러나 독성 금속 및 안정성이 저하 되기 때문에 관련 개발은 제한적이다. 따라서 QD는 환경 친화적 인 재료와 고효율 및 높은 안정성으로 만들어 져야한다. 특히 3 원계 반도체 (I-III-VI2) 화합물은 독성이 낮고 가시광 / 근적외선 영역에서 약 1.1eV (CuInSe2)의 direct 밴드 갭을 가지기 때문에 QD 태양 전지의 응용 분야로 유망한 대안이다. 이 연구에서는 근적외선 흡수 CISe QD를 생성하는 합성 과정과 QDSC에 적용하는 방법을 제시한다. 특히, 우리는 형태를 제어하여 상대 전극을 최적화하는데 초점을 맞추어 연구하였다. 박막의 모폴로지에 의한 영향은 물리적 및 광학적 특성 및 광전지 특성에 대해 분석되었다. |
