| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 나노 및 생체재료 |
| 제목 | GaN 완충층 적용 수직 및 수평 정렬된 ZnO 나노막대의 전기적 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는 유기화학기상증착법을 이용하여 ZnO 나노막대를 엑피탁시 GaN 버퍼층을 활용하여 성장시켰다. Al2O3 (0001) 기판을 사용하였을 시 수직으로는 잘 정렬되어 성장하였지만 기판에 대해 수평방향으로는 비교적 고르지 않게 성장된다. 반면에 GaN 버퍼층을 활용하여 성장된 ZnO 나노막대 어레이는 기판에 대해 수직과 수평방향의 모자익 분포가 각각 0.11o 와 1.28o로 매우 탁월한 정렬을 보여주었다. 성장된 ZnO 나노막대를 활용하여 전계효과 트랜지스터(field effect transistor)를 구현하여 전기적 특성을 측정한 결과 성장된 ZnO 나노막대의 전자농도는 ~7.5x1017 cm-3, 이동도는 ~1.87x102 cm2/Vs 인 전형적인 n형 반도체임을 알 수 있었다. |
| 저자 | 윤영수1, 박재영1, 김주진2, 김상섭1 |
| 소속 | 1전남대, 2전북대 |
| 키워드 | ZnO Nanorod; MOCVD; FET |
