| 초록 |
최근 멀티미디어의 발전 추세에 따라 초고속, 대용량, 저전력 소모 메모리에 대한 요구가 급증하고 있다. 여기에 따른 발전으로 DRAM 의 고집적화로 트랜지스터와 capacitor의 크기가 점점 작아지고 있으며, 거기에 맞추어 연구의 목적은 step coverage 특성이 우수한 ALD 법을 사용하여 TiO2 를 유전상수가 큰 rutile 구조로 성장시키고, Nd 과 Al Doping을 통해서 누설전류 특성을 향상시켜서 50 nm 이하의 DRAM 제조공정에서 capacitor 절연막으로 사용 가능성을 확인하는 것이다. 우선, Nd-doped TiO2 박막을 제조하기 위하여 Ti-source로 Ti(OCH(CH3)2)4를 사용하고 O-source로 H2O를 사용하여 TiO2 박막을 RuO2 기판 위에 성장시켰다. 그리고 성장된 TiO2 박막 위에 Nd를 도핑시키기 위해 Nd-source 로 Nd(TMHD)3 를 사용하였고, Al을 도핑시키기 위해 Al-source 로 TMA(Trimethylaluminium) 를 사용하였다. Nd 의 농도를 조절하여 doping 시킨 Nd-doped TiO2 박막의 capacitance 및 누설전류와 Al 의 농도를 조절하여 doping 시킨 Al-doped TiO2 박막의 capacitance 및 누설전류를 측정하여 Nd-doped TiO2 박막의 전기적 특성과 비교 평가하였다. |
