| 초록 |
인공지능의 부상으로 수요가 크게 증가한 메모리산업에서 주목받고 있는 차세대 비휘발성 메모리로 re-RAM(resistive switching random access memory)이 큰 관심을 끌고 있다. re-RAM은 높은 밀도와 저비용, 빠른 동작속도, 저전력, 높은 내구도와 긴 retention time 등의 우수한 성능을 보인다. 본 실험에서 절연체로 사용한 a-IGZO(amorphous InGaZnO)는 양극성 저항변화를 보이는 물질로 용액공정이 가능하여 기존의 진공공정에 비해서 제작비용의 절감이 가능하다고 알려져 있음. 또한, 저온 공정이 가능하도록 재료의 설계가 가능하며, 높은 밴드갭 에너지에 의해서 높은 가시광선 투명도를 가지며, 기계적으로 유연한 특성을 가진다. 또한 amorphous 상태에서도 상대적으로 높은 mobility를 가져 메모리뿐만 아니라 디스플레이용 박막트랜지스터에서도 경쟁력을 가진다. 일반적으로 산화물 기반 절연체들의 저항변화 특성은 산소결핍정도에 의존하지만 산소결핍의 이동을 정확히 파악하기 어렵다는 문제점이 있다. 본 실험에서는 용액공정을 기반의 InGaZnO박막내에 gallium 의 조성비를 조절하여 산소결핍을 조절하고 나아가 DUV-irradiation을 통해 표면의 oxygen-related 결합을 분해하여 표면에 존재하는 수소결합으로 유도된 trap charge를 줄여 균일한 저항변화 특성을 얻어내고자 한다 |
