| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2018년 봄 (05/16 ~ 05/18, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 | 24권 1호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료 분과 |
| 제목 | Fabrication of Metal-Oxide Semiconductor via Atomic Layer Deposition System for Thin Film Transistor. |
| 초록 | 원자층 증착법(ALD)은 기존의 물리적 반응을 이용한 스퍼터링 방식과 달리 화학적 반응을 이용하여 박막을 증착하는 방식으로써, nm스케일로 두께조절이 가능하고, Step Coverage가 우수하며 고품질의 매끄러운 박막을 형성시킬 수 있다는 장점이 있다. 뿐만 아니라 타겟의 정해진 조성대로만 박막이 증착되는 Sputter방식과 달리, ALD는 각 프리커서의 주입 시간 및 횟수 조절에 따라 양이온 조성을 변화시킬 수 있어 조성 변화에 대한 자유도가 매우 높다. 산화물 반도체를 적용한 박막 트랜지스터는(TFT)는 기존의 Si 반도체에 비해 비교적 우수한 이동도(a-Si 대비)와 신뢰성(poly-Si 대비) 을 지니고 있어 현재 대형 디스플레이에 적용되어 양산되고 있는 물질이다. ALD 공정은 위에서 언급한 많은 장점에도 불구하고 사용되는 프리커서 및 산화제의 종류, 챔버 내부 온도, Purge 시간 등 제어 해야할 요소가 매우 많아 현재까지 ALD 공정을 이용하여 4성분계의 산화물 반도체를 제작한 연구는 많지 않다. 따라서, 본 연구에서는 대표적인 산화물 반도체인 In-Ga-Zn-O 또는 In-Ga-O 물질을 스퍼터링 방식이 아닌 ALD 공정으로 증착하여, 양이온 조성에 따른 박막의 화학적, 전기적 특성을 평가하였다. 또한, 기존의 스퍼터 방식으로 제작된 박막과 동일 조성으로 증착한 ALD-IGZO 박막을 이용하여 TFT를 제작함으로써 다소 향상된 소자 특성을 확인할 수 있었다. |
| 저자 | 설현주, 정재경, 조민회 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | ALD; TFT; Metal-Oxide; Thin Film |
