| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2018년 가을 (11/07 ~ 11/09, 여수 디오션리조트) |
| 권호 | 24권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | Sputtering 과정의 산소 분압 조절에 따른 Indium-Tin-Zinc-Oxide(ITZO) 박막 트랜지스터의 특성과 안정성 연구 |
| 초록 | 비결정질의 금속산화물을 기반으로 하는 반도체는 기존의 비결정질 실리콘 반도체에 비해 높은 전자 이동도, 넓은 밴드갭 에너지로 인한 가시광선 영역에서의 뛰어난 투과도와 비교적 쉬운 공정이 가능해 주목받고 있다. 하지만 빛, bias 전압, 전류, 온도와 같은 다양한 조건 아래에서 나타나는 불안정성이 비결정질 금속 산화물을 박막 트랜지스터로 활용하는데 해결해야할 문제로 남아있다. 게이트 절연체를 바꾸거나, active layer에 열처리 혹은 플라즈마 처리를 하는 등의 방법이 제안되었으나 이러한 방법들은 추가적인 복잡한 공정을 필요로 한다. 한편 금속 산화물 내에서 빛과 bias 전압 등에 의한 소자의 불안정성에 큰 역할을 하는 것은 산소와 관련된 defects들로 알려져 있는데, 금속 산화물 박막을 증착하는 과정에서 산소의 농도를 조절하여 소자의 전기적 특성을 관찰해 산소결함과 소자의 불안정성의 관계가 연구가 되고 있다. 이 실험에서는 Indium-Tin-Zinc-Oxide(ITZO)의 sputtering 증착 과정에서 아르곤 가스와 산소의 다양한 분압으로 ITZO 박막 내의 산소결함을 조절한 active layer를 증착하고, 더 나아가 다른 산소 분압으로 증착된 double-layered ITZO 박막 트랜지스터의 특성과 안정성을 연구하고자 한다. |
| 저자 | 김현진, 김재균 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | <P>Metal oxide; thin film transistor; ITZO; oxygen vacancy</P> |
