| 초록 |
인쇄회로기판(PCB)의 제작 공정 중 구리 무전해 도금은 후속 공정인 전해 도금이 가능하도록 고분자 기판 위에 Cu seed layer 형성을 목적으로 진행된다. 인쇄회로기판이 고밀도, 다층화되면서 미세 회로 영역이 증가하고 있으며 via에 의해서 층간 연결이 이루어지는 stacked via 형태의 제품이 큰 비중을 차지하고 있다. 미세 회로 구현 시 얇게 형성된 seed layer의 두께가 균일하지 않을 경우 전기적으로 연결이 되지 않아 전해 도금 과정에서 via를 완전히 채우지 못해 void나 seam 등의 결함이 발생할 수 있다. 특히 기판과 구리 사이의 접착력 개선을 위해 기판에 전처리를 하게 되는데, 이로 인해 표면 거칠기가 매우 커져 부분적인 결함이 심화될 수 있다. 따라서 무전해 도금 시 Cu seed layer의 균일도를 높이고 비저항을 개선하는 것이 매우 중요하다. 본 연구에서는 via 상단의 도금 두께는 일정하게 유지하면서 바닥 부분의 도금 두께를 향상시켜 균일도를 높이고, seed layer의 비저항을 개선하는 것을 목표로 한다. 이를 위해 무전해 도금 용액 내 강제 대류를 가해 용액 내 이온 물질 전달을 촉진하여 throwing power를 증가시키고, 무전해 도금 공정의 온도 조절과 annealing을 통한 seed layer의 비저항 개선 방안을 제시하고자 한다. |
