| 초록 |
silicon oxide(SiOx) 박막은 polymer 기판의 transparent barrier 특성을 갖도록 널리 사용되어 왔다. 그러나 일반적으로 polymer 재료들은 낮은 내열성을 갖고 있어 그 열적 피해를 막기 위해 저온 공정이 이루어져야 한다. 따라서 본 연구에서는 복잡한 진공장비 없이 빠른 공정속도를 갖고 우수한 박막을 얻을 수 있는 대기압 plasma-enhanced chemical vapour deposition 시스템을 사용하여 SiOx 박막을 얻고자 한다. 기본적으로 Si wafer 위에 SiOx 박막을 올린 후 그 특성을 관찰하고 polymer 재료인 PC film 위에 SiOx 박막을 증착시켜 두 박막의 특성을 비교할 것이다. 대기압 barrier 방전은 주파수 30kHz의 AC 전원을 사용하였고, ground 전극쪽에 있는 기판과 두 개의 실린더 형태의 전극사이에서 방전을 형성시켰다. Silicon oxide 박막을 얻기 위하여 반응가스로 HMCTSO와 산소를 혼합하여 사용하였으며 He가스를 사용하여 방전을 발생시켰다. 여러 변수에 의해 기판에 증착된 박막은 FT-IR, refractive index, WVTR, ellipsometry, SEM 등을 통하여 그 특성에 대해 관찰하였다. |
