| 초록 |
유기박막트랜지스터의 게이트 절연체 표면 특성은 그 위에 성막 되는 유기반도체의 성장 메카니즘을 변화시키고 그에 따른 유기박막트랜지스터의 성능을 변화시킨다. 따라서 펜타센을 유기 반도체로 쓰는 경우 펜타센과 게이트 절연체 사이의 계면장력을 최소화 할 수 있도록 표면특성을 제어하는 것은 필수적이다. PVP (poly-4-vinylphenol)의 경우 상대적으로 높은 유전상수를 갖고 있어 게이트 절연체로 많이 이용되고 있지만 이를 이용한 유기박막트랜지스터는 높은 누설전류, 높은 S.S 값을 보이는 등 해결해야 하는 여러 문제를 안고 있다. 이러한 문제를 해소하기 위해 OTS (octadecyltrichlorosilane)를 용액 상태에서 PVP의 OH기와 직접 반응시켰으며 두 번의 공정을 거치지 않고 표면의 특성을 제어할 수 있었다. 이러한 경우 solvent의 선택과 OTS의 함량에 따라 표면의 특성에 차이가 있었는데 solvent의 경우 부탄올이 가장 적합했으며 OTS의 함량은 PVP 대비 3wt%가 가장 적합했다. 유기박막트랜지스터의 성능 결과 누설전류 (1*10-12 A) 및 S.S (1.2 V/dec)를 크게 줄일 수 있었다. |
