| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 |
16권 2호 |
| 발표분야 |
B. Nano materials and processing Technology(나노소재기술) |
| 제목 |
절연층에 삽입된 나노와이어의 전기적 특성 차이를 이용한 인버터소자의 특성 (Characteristics of Logic Inverters by Using a Difference of Electrical Properties of Implanted Nanowire at Dielectric Layer) |
| 초록 |
고분자 물질의 낮은 경도와 높은 점성을 이용하면 고분자 절연막에 나노와이어를 쉽게 찍어낼 수 있다. 특히 찍어낼 때의 압력을 조절한다면 절연막에 나노와이어가 삽입되는 정도를 변화 시킬 수 있다. 이러한 방법을 기반으로 나노와이어 filed-effect transistor (FET)를 제작할 경우, 절연막에 나노와이어가 삽입된 정도에 따라 서로 다른 전기적 특성 차이를 나타내게 된다. 본 연구에서는 이러한 나노와이어의 전기적 특성 변화를 이용하여 인버터 소자를 제작하였다. 무전해 식각법으로 합성한 실리콘 나노와이를 poly-4-vinylphenol (PVP) 고분자 절연막에 서로 다른 압력으로 찍어내었고 이를 바탕으로 제작한 FET 소자의 I-V 특성을 관찰하였다. 이때, 소자 특성변화를 분석하기 위하여 절연막에 나노와이어가 삽입된 상태에 따른 C-V 특성 및 전하 분포도를 시뮬레이션을 이용하여 확인하였다. 이를 바탕으로 삽입 상태에 따른 나노와이어의 문턱전압 값의 차이를 이용하여 FET기반의 인버터 소자를 제작하였고, 이 소자의 전이전압 및 gain값 등을 평가하였다. |
| 저자 |
문경주, 최지혁, 전주희, 강정한, 이태일, 윤일구, 명재민
|
| 소속 |
연세대 |
| 키워드 |
Si nanowires; PVP; implanted states; logic inverter
|
| E-Mail |
|
