| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2014년 봄 (05/15 ~ 05/16, 창원컨벤션센터) |
| 권호 | 20권 1호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료(Optical Functional and Display Materials) |
| 제목 | UV-Ozone 조사에 따른 IGZO TFT의 안정성 개선 (Improvement of bias stress stability of IGZO thin film transistors by UV–Ozone irradiation) |
| 초록 | 산화물 기반의 Thin Film Transistor (TFT) 는 기존의 비정질 실리콘에 비해 상온 및 저온에서 대면적 및 저렴한 비용으로 제작 가능하다는 장점 때문에 최근 많은 연구가 이루지고 있다. 현재 TFT 물질로 많이 연구되고 있는 산화물들 중 amorphous-Indium Gallium Zinc Oxide (a-IGZO) 물질의 경우 결정학적으로 비정질이지만 비정질 실리콘과 달리 s 오비탈의 중첩으로 인해 높은 전자 이동도의 특성을 가지고 있는 장점 때문에 차세대 산화물 트렌지스터로 각광받고 있다. 그러나 이러한 장점에도 불구하고 bias stress로 인해 발생하는 구동전압 변화는 여전히 문제가 되고 있다. 본 연구에서는 UV-Ozone 처리 시간에 따른 IGZO 산화물 반도체의 안정성 향상에 대한 연구를 진행하였다. UV-Ozone 처리 시간에 따른 소자 특성 및 bias stress로 인한 안정성 평가는 HP 4145B 및 B1500A 를 통해 측정하여 분석하였고, 분석 결과를 바탕으로 stretched exponential law와 A. Suresh model을 통하여 UV-Ozone 처리 시간과 interface trap 사이의 상관 관계를 규명하였다. |
| 저자 | 이민정1, 박지현1, 이수정1, 이태일2, 명재민1 |
| 소속 | 1연세대, 2가천대 |
| 키워드 | IGZO TFT; Amorphous semiconductor; Thin Film Transistor |
