| 초록 |
제 3세대라 불리는 초고효율 실리콘 양자점 박막을 연구하기 위해 Silicon Carbide 박막을 조성비에 따라 p-형 실리콘 웨이퍼 (100)와 쿼츠 기판 위에 증착하였다. RF sputter를 사용하여, Si target과 C target을 동시에 스퍼터하였으며, 각각의 target에 인가되는 RF Power를 조절하여 조성을 제어하였다. 조성비는 AES (Auger Electro Spectroscopy)로 측정한 Si, C 원소량을 정량화하여 사용하였다. 조성비를 측정한 결과, Si Power를 200W에 고정하고, C Power를 0W에서 400W까지 변화시킬 때, Si1-xCx 박막에서 조성비 x는 0 ~ 0.43 이였다. 각각의 Si1-xCx 박막을 1000℃에서 수십 분간 질소 분위기에서 열처리를 실시하였다. 이 박막을 고배율 투과전자현미경을 통해 Si1-xCx 박막 내의 실리콘 양자점이 2~10nm의 크기로 형성되었음을 관찰할 수 있었다. 또한, UV-VIS-NIR spectroscopy, FTIR, XRD 등을 사용하여 Si1-xCx 박막 내 실리콘 양자점의 물성을 확인하였다. |
