| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 봄 (05/14 ~ 05/14, 강릉대학교) |
| 권호 | 10권 1호 |
| 발표분야 | 반도체 II (화합물) |
| 제목 | MOCVD법으로 버퍼층을 활용한 ZnO 박막 제조 |
| 초록 | ZnO 박막은 그 동안 난제로 여겨진 p형 도핑방법이 점차 알려지면서 발광소자 재료로 적용 가능성이 한층 더 주목받고 있다. ZnO는 발광 스펙트럼(PL) 피크의 날카로움, 높은 free exciton 결합에너지, 방사선 노출에 대한 큰 내구성, 소자 제조를 위해 습식 식각이 가능하며, ZnO 단결정 기판 사용이 가능함으로써 에피탁시 품질을 최대화 할 수 있는 등 여러 가지 장점을 가지고 있어 국내외에서 ZnO 박막제조에 관련된 많은 연구들이 진행되고 있다. 본 연구에서는 Al2O3(0001) 단결정 기판위에 저온에서 성장된 버퍼층과 고온에서 성장된 동종버퍼층(homo buffer layer)을 활용해서 결정성 및 미세구조 그리고 광학적 측면에서 우수한 ZnO 박막을 제조하는 실험을 실시하였다. 저온 버퍼와 달리 고온버퍼를 활용할 경우에 ZnO 박막의 표면 평활도 뿐만 아니라 결정 배향성에도 매우 유리함을 확인하였다. |
| 저자 | 박재영, 이동주, 윤영수, 문종하, 이병택, 김상섭 |
| 소속 | 전남대 |
| 키워드 | ZnO thin film; MOCVD; homo buffer layer; |
