| 초록 |
본 연구에서는 수직형 튜브 가열로 반응기를 이용한 실험 장치를 통하여 증착 구간내에서의 온도 조절에 의한 균일한 분포의 SiO2 미립자의 증착을 이루도록 하였으며 증착 구간의 내부 벽온도 분포를 예열기 설정 온도, 반응물 농도, 전체 기체 유량, 반응 구간 온도변화에 따라 제어함으로써 균일한 분포의 증착을 이루는 방법을 고찰하였다. 이론적인 모델 연구를 위해 반응기 내에서의 SiCl4 산화 반응에 의한 SiO2 입자 생성, 충돌에 의한 입자 성장 및 열영동에 의한 증착 및 입자의 확산 등의 현상을 고려하였다. 실험적인 연구로서는 증착 구간에서 균일한 분포의 증착을 위하여 pyrex 튜브 내를 가열, 단열, 냉각하는방법을 사용하여 균일한 두께의 SiO2 입자를 이루는 증착 특성 과정을 고찰하였다. 본 연구에서의 공정 변수로서 예열기 온도, 반응물 농도, 반응기 온도, 전체 기체 유량 등을 선정하였으며 수직형 튜브 가열로 반응기에서 생성되는 SiO2 초미립자 분말의 특성(크기, 농도)및 증착 특성(증착량, 증착 효율)에 관해 고찰하였다.
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