| 초록 |
Ta 스퍼터링 타깃은 반도체용 Cu 배선에서 확산방지층 형성에 사용되고 있으며, 최근 Cu 배선 증가 및 배선폭의 감소 추세에 따라 스퍼터링 효율 향상과 균일성막을 위해 Ta 타깃의 미세조직 및 집합조직 제어가 중요해지고 있다. 본 연구에서는 고순도 Ta의 이속압연비 및 재결정열처리에 조건에 따른 //ND 집합조직 분율, 평균 결정립 크기 및 결정립 불균일도 등을 조사하여, 스퍼터링 타깃으로 적합한 가공열처리 조건을 도출하고자 하였다. Ta을 이속비 2:1, 3:1, 4:1 조건으로 두께감소율 85%로 냉간압연한 후, 진공열처리로를 이용하여 1000~1300℃에서 5분∼1시간 열처리하여 시편을 준비하였다. 광학현미경으로 미세조직을 관찰하고, X-선 회절분석기 및 SEM-EBSD를 이용하여 집합조직을 분석하였다. 압연된 상태에서는 이속비에 관계없이//ND 및 //ND가 발달하였으며, 재결정열처리 시 이속비가 증가할수록 동일한 열처리 조건에서 평균결정립 크기가 큰 것으로 나타났다. 한편 1000℃, 1100℃에서 열처리한 경우는 모든 조건에서 ＜110＞//ND 집합조직이 강하게 발달하는 한편, 1200, 1300℃에서 열처리한 경우 이속비가 가장 높은 4:1인 시료에서 높은 분율의 |
