| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | Pd Activator 의 온도와 PEG 첨가에 따른 무전해 Ni-P 도금 전극이 Al thin film capacitor에 미치는 영항에 관한 연구 |
| 초록 | 최근 전자기기의 발달로 초 소형화, 고성능화가 빠르게 진행되고 있으며 고전압, 장 수명, 고신뢰성 및 초 저고온에서의 동작 특성이 요구된다. 알루미늄시편을 에칭 하여 표면적을 넓히고 그 표면에 barrier type의 Al2O3 형성 후, 무전해 Ni-P 도금으로 전극을 형성하여 커패시터를 제작하였다. 유전체의 표면적 증가에 의한 정전용량도 커지게 된다. 그러나 hole size 0.5㎛와 etching depth 35㎛를 가진 알루미나는 aspect ratio가 1:70으로 높아 무전해 Ni-P 도금시 bottom부분까지 도금이 채워지기 어렵다. 무전해 Ni-P 도금법은 촉매를 매개로 하여 그 위에 금속이온을 환원시키는 방법으로 전처리 공정을 필요로 한다. 이번 연구에서는 two-step 전처리(pretreatment) 공정으로 민감화 처리(sensitization, SnCl2)와, 활성화 처리(activation, PdCl2)를 하였다. Palladium 활성화 처리는 Ni-P 도금시 핵성장과 밀착성에 영향을 준다. 본 실험에서는 활성화 공정시 온도변화와, PEG 첨가에 따른 Pd 흡착과 Ni-P 전극층 형성 깊이의 상관관계를 분석하고자 하였다. 무전해 Ni-P도금전극의 특성을 분석하기 위하여 LCR meter 로 capacitance과 dissipation factor를 측정하였고, Source meter로 breakdown voltage값을 측정하였다. 전처리 공정으로 인한 도금의 특성을 확인하기 위해 SEM으로 분석 하였다. |
| 저자 | 이정우, 이창형, 서수정 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | Pd Activator; PEG; electroless Ni-P; Al2O3 |
