| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (11/12 ~ 11/14, ICC 제주) |
| 권호 | 12권 2호 |
| 발표분야 | 무기재료 |
| 제목 | Influence of Indium doping in Copper Selenide (CuxSe) Thin Film Prepared via Solution Deposition(SD) |
| 초록 | 차세대 고효율 박막형 태양전지의 광흡수층 물질로 많은 연구가 진행되어져 오고있는 CuInSe2(CIS) 및 CIGS의 새로운 제조방법 및 물질 내에서의 Indium doping에 따른 특성변화를 연구하였다. 우선 Copper Selenide (CuxSe)를 저온용액공정(연속흐름반응기: CFR)방식을 통해 증착하였고, 태양전지로의 적합성을 위해 1.1 eV 정도의 밴드갭을 가지는 CuSe상으로 doping 되는 In(source; InCl3)의 양을 달리하여 실험을 수행하였다. 얻어진 CuSe:In(1%~50% mol/mol)의 광학적, 구조적 특성을 UV-vis 및 XRD (X-ray diffraction) 분석을 통해 분석하였고, 반응조건에 따른 물질의 표면특성은 AFM(Atomic Force Microscope), SEM(Scanning Electron Microscope) 을 통해 확인하였다. |
| 저자 | 김채린, 이두형, 박미선, 이태진, 류시옥 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | 태양 전지; CuInSe2; CFR; 연속 흐름 반응기; CIS; CIGS |
