| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2002년 가을 (10/11 ~ 10/12, 군산대학교) |
| 권호 |
27권 2호, p.336 |
| 발표분야 |
분자전자 부문위원회 |
| 제목 |
Langmuire-Blodegett (LB) 법에 의한 Polymer Thin Film의 AFM Anodization Lithography |
| 초록 |
Langmuir-Blodegett (LB) 방법을 이용하여 제작된 terpolymer인 Poly(BPMA-FMA-MAA)의 고분자 막은 5 wt% HF solution에서 강한 resistance가지며, 140 °C에서도 열적 안정성을 보인다. Poly(BPMA-FMA-MAA)의 고분자 막이 균일하게 형성되었음을 AFM과 ellipsometry를 통하여 확인하였고, AFM lithography의 레지스트로써 사용하여 그 결과를 관찰하였다. 또한 상대 습도와 인가 전압을 조절하여 고 해상도의 패턴을 고속으로 제작 할 수 있는 조건을 최적화하였다. |
| 저자 |
김정오1, 최영민2, 이해원*
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| 소속 |
1한양대, 2*한양대 |
| 키워드 |
LB; AFM Lithography; PBTM
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| E-Mail |
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