| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 | 16권 1호 |
| 발표분야 | G. Display (LCD, PDP, OLED) Materials(디스플레이 재료) |
| 제목 | 사파이어웨이퍼 표면 결함이 LED 발광에 미치는 영향 |
| 초록 | 사파이어웨이퍼는 LED용 화합물반도체용 단결정 기판으로 발광특성은 단결정기판 위에 GaN계 화합물 반도체 Epi층을 성장하여 구현한다. 화합물반도체 기판재료로서 사파이어 웨이퍼는 우수한 특성을 나타내기 위해서는 전자와 홀의 재결합을 방해하여 발광특성을 저하시키는 웨이퍼 내 결함이 최소화하여야 한다. 사파이어웨이퍼의 잠재 고장 메커니즘으로는 사파이어 잉곳 제조시 잔류하는 pore로 인한 pit 결함, 가공 및 취급에 따른 scratch 결함, 연마공정 후 표면 거칠기에 따른 Epi 성장변화 그리고 잔류응력에 의한 미세표면 성상의 전이 및 변형 등이 있다. 본 연구에서는 사파이어웨이퍼의 표면결함과 Epi 성장과의 상관관계를 파악하기 위하여 SEM, AFM 및 광학현미경을 이용하여 표면결함을 정밀분석 및 해석하고, 가공정밀도 및 공정인자와 Epi 성장과의 상관관계를 파악하기 위하여 표면조도계를 이용하여 분석하였다. |
| 저자 | 김상일, 최형석, 임영수, 강종호 |
| 소속 | 한국세라믹기술원 |
| 키워드 | 사파이어웨이퍼; GaN; LED |
