화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2006년 봄 (05/19 ~ 05/20, 경상대학교 )
권호 12권 1호
발표분야 전자재료
제목 Deep RIE 공정을 이용한 차세대 이동 통신용 멤브레인 구조의 FBAR 제작
초록 21세기의 무선 이동 통신은 음성, 문자, 동영상, 실시간 중계 등 멀티미디어 무선 인터넷 서비스와 같은 다양한 서비스를 제공하게 될 것이며, 이러한 고품질의 서비스 제공을 위해서는 현재 2, 3세대에서 사용되고 있는 주파수 (2 GHz 대역) 뿐만 아니라, 수십 GHz의 높은 주파수 대역까지 확장 되리라 예상되고 무선 통신 부품에 대한 수요가 급격히 증가하고 있는 추세이다. 이동통신용 시스템 및 휴대용 단말기의 RF부품들에 대한 개발이 활발히 이루어지고 있으나 안테나, 전력 증폭기, 믹서 등과 같은 RF핵심 부품들과는 달리 아직 필터의 경우에는 아직까지도 온칩화가 되지 못하고 외장소자로만 구현되고 있어서 단말기의 소형 및 경량화의 문제로 남아있는 실정이다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 압전 박막을 이용한 공진기인 FBAR(Film Bulk Acoustic Wave Resonator)의 연구가 활발히 진행되고 있다. 이번 개발된 FBAR 필터의 특징은 실리콘 웨이퍼 상에 상하의 전극에 존재하도록 압전박막을 형성하고 실리콘 웨이퍼 바깥 면에서 Deep RIE(Reactive Ion Etching)법에 의해 cavity를 형성하고 공진기를 제작하여 우수한 특성을 확인하였다. 이 공진기들을 직렬과 병렬로 구성하고 병렬 공진기에 mass loading 통한 주파수 조정 공정을 거쳐 제조된 필터의 특성은 탄성에너지가 cavity중에 갇히게 되기 때문에 저 손실화를 기대할 수 있고 미세한 전극 패턴의 형성이 불필요하기 때문에 약 10 GHz의 주파수까지 대응이 가능해진다.
저자 안영배1, 문정현1, 이재빈2, 김형준1
소속 1서울대, 2쌍신전자통신(주)
키워드 FBAR; Deep Si etch
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