| 초록 |
수직형 프로브 카드는 니들(needle)에 굽힘(bending)을 주어 수직으로 세운 구조가 일반적인 형태이다. 그러나 반도체공정이 사용되기 때문에 제작공정이 복잡하고, 공정 단가가 비싸다는 단점이 있다. 이를 극복하기 위해 기존 photolithography 공정에 비하여 단순한 공정으로 patterning할 수 있고 템플릿(template)을 수백 회 이상 반복적으로 사용할 수 있기 때문에 경쟁력이 높은 hot embossing법을 이용하였다. 이 연구에서는 hot embossing을 이용하기 위해 Ni stamp를 제작하여 patterning을 시도하였다. Ni stamp는 Si DRIE(Deep Reactive Ion Etching)를 이용하여 mold를 제작 후 mold에 seed layer를 sputtering법으로 증착 하고 Ni을 전해 도금하여 제작하였다. Embossing 공정은 mold의 가압조건과 이형특성이 중요한 공정변수이다. 이형특성은 ICP-CVD를 이용하여 C4F8과 vapor type의 FDTS를 증착하여 확인하였고 가압조건은 압력, 온도, 압력시간을 변수로 실험되었다. 이를 통하여 patterning후 이형재의 내구성과 patterning 재현성을 확인하였다. |
