| 초록 |
이번 연구에서는 buffer layer를 이용한 Low-Temperature Poly-Si Thin-Film Transistor(LTPS TFT)의 전기적 특성을 확인하였다. 연구 목적은 LTPS TFT의 field-effect mobility(µFE)를 높이며, off-current는 낮게 하는 것이다. LTPS TFT의 P-channel의 표면에 hydrogenated buffer layer를 증착함으로써 실험을 진행하였다. 결함밀도가 낮고 비정질상인 LTPS TFT는 µFE가 88.53cm2/V•s 정도로 높게 나타났으며, off-current는 +5V에서 2.46x10-12A 정도로 낮게 나타났다. Hydrogenated buffer layer를 증착하지 않은 LTPS TFT의 off-current는 급격히 높게 나타났고, hydrogenated microcrystalline silicon buffer layer를 증착한 poly-Si TFT의 µFE는 급격하게 낮아졌다. 이번 연구를 통해 얻어진 결과를 바탕으로 buffer layer의 crystallinity, defect, bonding, passivation quality 등을 조절하면 LTPS TFT의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 것으로 판단한다. |
