| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/03, 한경대학교) |
| 권호 | 11권 2호 |
| 발표분야 | 나노기술 |
| 제목 | 다층 구조를 가지는 웨이퍼 막질의 선택적 건식 식각방법 |
| 초록 | 고집적 전자소자의 제조에 있어, 패턴 및 절연막의 형성을 위해서 실리콘 산화막이 널리 사용되고 있으며, 반도체 집적회로의 기능이 다양해짐에 따라 상이한 특성을 가지는 2종 이상의 막 필름들이 사용되고 있다. 미세공정 과정에서 특정영역을 식각해야 하는 경우가 있는데, 이를 식각하기 위하여 HF습식 식각법이 알려져 있다. 그러나, 이 방법은 회로의 집적도가 높아지면서 기술적인 한계성은 물론 환경적 문제점을 내포하게 된다. 따라서 여러 가지 막질이 포함된 기판상에 존재하는 실리콘 산화막에 대해 높은 식각 속도를 보장하면서, SiN막, TiN막 등에 대한 손상을 방지할 수 있음은 물론 미세전자 소자의 깊고 세밀한 패턴들의 무너짐 없이 건식 식각할 수 있는 초임계 이산화탄소 식각방법을 조사하였다. |
| 저자 | 정재목, 배재현, 임권택 |
| 소속 | 부경대 |
| 키워드 | 초임계 이산화탄소; 건식 식각 |
