| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (04/26 ~ 04/28, ICC 제주) |
| 권호 | 23권 1호, p.868 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | FT-IR spectroscopy 분석을 통한 GaAs의 산화 거동 연구 |
| 초록 | III-V족 반도체 물질은 Si 기반 반도체의 scaling에 따른 성능 한계를 극복할 유망한 대안으로 주목받고 있다. III-V족 반도체 물질은 높은 이동도와 소모량 저감 등의 장점이 있어 많은 연구 개발이 이루어지고 있다. 본 연구는, III-V족 반도체 물질 중 GaAs (Gallium Arsenide)를 wet chemical 처리 후 재산화를 실시하는 경우 wafer 표면에서 어떤 변화를 보이는지를 관찰하였다. 본 연구를 위하여 다양한 배향을 갖는 GaAs 웨이퍼를 DHF (HF + H2O) 및 FPM (HF + H2O2 + H2O) 용액에 담지하여 표면 처리를 진행한 후, 대기 중에서 재산화를 실시하였다. 표면처리 직후 및 재산화 과정의 시간에 따른 표면 산화 상태를 MIR-FTIR 측정을 통하여 측정하였다. H2O2 유무에 따라 재산화가 진행되는 동안 다른 산화 거동이 진행됨을 확인하였다. DHF와 FPM 처리된 표면에서 측정된 IR peak이 완전히 다른 형상과 intensity를 기록하였다. DHF 처리된 wafer의 표면은 시간 경과에 따라 천천히 oxide 두께가 증가해 나가며, Ga-O-As structure 위주의 peak 증가가 발생하였다. 그러나 H2O2가 첨가된 FPM로 처리된 경우 FPM 처리된 표면에서는 초반 As-O-As 구조 peak이 우세하였다가 시간이 경과되면서 Ga-O-As structure peak이 증가하였다. 또 DHF 처리된 표면에 비하여 재산화 되는 동안 oxide의 증가 속도가 상대적으로 빠르게 측정되었다. |
| 저자 | 이진훈, 나지훈, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
| VOD | VOD 보기 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
