| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/11 ~ 05/12, 계명대학교) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 정보전자소재 |
| 제목 | ITO 양전극의 성막온도에 따른 OLEDs 특성 조사 |
| 초록 | 본 연구에서는 저주파 (60 Hz) 마그네트론 스퍼터링 방법으로 성막온도 (RT, 150 ℃, 200 ℃, 250 ℃)에 따른 ITO 양전극 (Anode)을 증착한 후 OLEDs 특성에 미치는 영향을 조사하였다. OLEDs는 열증착 방법으로 ITO/Glass 기판 위에 α-NPD (HTL)/Alq3 (EML)/LIF (EIL)/Al (Cathode) 구조로 제작하였으며 각각의 막 두께는 30, 40, 2, 140 nm이다. 증착된 ITO 박막의 전기적, 광학적, 구조적 특성은 각각 Hall measurement, UV-VIS Spectrometer, XRD로 조사하였다. 그리고 ITO 양전극의 성막온도에 따른 OLEDs의 J-V-L 특성은 Keithley 2400과 PR650으로 측정하였다. 분석 결과에 따르면 OLEDs는 ITO 박막의 물리적 특성에 의존하였으며 성막온도 200 ℃의 양전극을 사용한 경우 최고 휘도 20550 cd/m2(2625 mA/cm2)를 가졌다. |
| 저자 | 이성호1, 박이순2, 이도경1, 정상권2, 조호영2 |
| 소속 | 1구미전자기술(연), 2경북대 |
| 키워드 | ITO 박막; OLEDs; 마그네트론 스퍼터링; 성막온도 |
