| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (11/07 ~ 11/07, 차세대융합기술연구원) |
| 권호 | 14권 2호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | Analysis of seed layer profiles inside the vias |
| 초록 | 전자제품의 소형화, 경량화에 따라 소자의 고집적화를 이룰 수 있는 3차원 system-in-packaging(SiP) 기술의 필요성이 대두되고 있다. 고종횡비를 갖는 through silicon via (TSV)의 형성 및 충진을 통한 vertical interconnection의 형성은 packaging size 및 신호지연을 최소화할 수 있는 3차원 SiP의 핵심 기술 중 하나이다. Via는 Cu seed layer의 증착과 전해도금법을 이용해 충진될 수 있으며, void가 없는 완벽한 충진을 위해서는 conformal seed layer의 증착이 필수적이다. 본 연구에서는 다양한 형태의 via 및 trench에 sputtering에 의해 증착된 seed layer profile을 ballistic transport reaction model (BTRM)을 통해 예측하였다. BTRM에서는 주어진 system에서 입자들의 운동을 묘사할 수 있는 angular distribution function이 필요하다. Monte-carlo simulation을 기반으로 한 새로운 angular distribution function을 사용함으로써 seed layer profile을 정확하게 예측할 수 있다. 나아가 seed layer profile의 conformality를 향상시키기 위한 최적의 via shape을 제시하였다. |
| 저자 | 김창규, 이원종 |
| 소속 | KAIST 신소재공학과 |
| 키워드 | seed layer profile; angular distribution function |
