| 초록 |
ZnO는 단파장에 해당하는 광대역 밴드갭을 지닌 직접천이형 물질이며, 상온에서 엑시톤 결합에너지가 커서 발광소자로서의 물리적 장점들을 지니고 있다. 그러나 발광소자 구현을 위해서 필수적인 p형 ZnO의 성장이 아직 이루어지지 않아서 소자구현까지는 이루어지지 못하고 있다. 이러한 박막형 ZnO 연구개발과 더불어 ZnO 나노구조물에 대한 연구가 매우 활발하다. ZnO는 다른 화합물반도체에 비하여 간단한 방법으로 쉽게 나노구조물 (예를 들면 nanowire, nanorod, nanoneedle, nanoribbon, nanobelt 등) 제조가 가능한 것으로 알려져 있으며, 최근 ZnO 나노구조의 여러 가지 전기적 특성들에 대한 보고가 계속되고 있다. 이러한 실험들은 향후 ZnO 나노 막대를 이용한 나노 사이즈의 발광소자로의 적용 가능성을 보여주고 있지만, 전기적 특성과 더불어 미세구조특성에 관한 분석은 거의 연구되지 않은 실정이다. 본 연구에서는, Si(111), Si(001), Al2O3(0001), GaN/Al2O3(0001), ZnO(0001) 등 다양한 기판을 사용하여 수㎛ 나노막대를 성장시켰다. ZnO 나노막대의 성장 양상들과 계면에서 기판과 막대의 결합구조들, 막대의 결정성들을 TEM, HRTEM을 이용하여 정밀하게 관찰하였다. |
