| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (05/26 ~ 05/27, 무주리조트) |
| 권호 | 11권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | Vapor deposition방법으로 성장시킨 비정질 Ge1-xMnx박막의 열처리 효과 |
| 초록 | Vapor deposition방법을 이용하여 비정질 Ge1-xMnx박막을 성장, 고 진공 하에서 열처리를 하여 열처리 전, 후의 전기적, 자기적 그리고 구조적인 특성들의 변화를 관찰하였다. 비정질 Ge1-xMnx박막은 Mn의 함량에 따라 약 150K의 Curie 온도를 갖는 자성 반도체 특성을 보인다. 이러한 Ge1-xMnx박막을 300℃, 400℃, 500℃, 600℃ 그리고 700℃에서 3분 동안 열처리 하였다. Mn의 함량에 따라 다른 특성을 보이기는 하지만 Mn의 함량이 낮은 시료의 경우는 약 600℃부터 결정화가 이루어지기 시작하고 Mn의 함량이 높은 시료의 경우는 약 500℃부터 결정화가 시작된다. 결정화가 일어나면서 Ge1-xMnx박막의 비저항 값 역 시 상당한 변화를 보인다. 결정화가 이루어지기 전까지 열처리 온도에 따라서 비저항 값은 점점 증가를 하다가 결정화가 일어나면서 비저항 값은 감소하기 시작한다. 그와 함께 자기적인 특성 역시 변화를 보이는데, 300℃ 열처리의 경우는 As-grown 시료와 거의 차이가 없지만 400℃ 열처리 이후부터는 자화 값의 증가와 함께 보자력 값이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 500℃ 열처리의 경우는 뚜렷한 Curie 온도의 증가를 확인할 수 있고, 특히 600℃ 열처리의 경우는 Curie 온도가 300K까지 올라간다. 500℃와 600℃의 각각의 열처리 경우의 Curie 온도의 증가는 미세 구조 분석에서 다른 결과를 보인 것처럼 전기적인 특성에서도 다른 특성을 보인다. 감사의 글 본 연구는 Research Center for Advanced Magnetic Materials(ReCAMM, 충남대학교), 하나로 공동이용 활성화 사업(한국원자력 연구소)과 Brain Korea 21사업(BK 21, 교육인적자원부)의 지원으로 수행하였습니다. |
| 저자 | 서상원1, 유상수1, 김기학1, 김익환1, 임영언1, 김도진1, 김효진1, 손재민2, 김봉구2, 강영환2, 김창수3, 류현3, 오상준4 |
| 소속 | 1충남대, 2한국원자력 (연), 3한국 표준 과학 (연), 4한국 기초 과학 지원(연) |
| 키워드 | 묽은 자성반도체; Ge-Mn system; 열처리 효과 |
